一直以来，我国在芯片制造领域，备受西方国家“卡脖子”影响。近日，我县企业瑶光半导体（浙江）有限公司的“SiC激光退火设备”顺利通过省首台（套）产品工程化攻关项目验收，实现了芯片制造一大技术突破。
　　首台（套）是以开发的重大短板装备（材料、软件），满足重要工程或产业链的需求，或解决产业链中的关键问题。通过这样的项目验收，不仅证明了产品的技术水平，还为产品的市场推广提供了有力支持。
　　“激光退火设备是我们企业的拳头产品，此次通过验收的工程化攻关项目，是我们在原有产品上进行改造升级推出的第2.5代产品。”瑶光半导体（浙江）有限公司总经理王涛告诉记者，激光退火是一种利用高能量密度的脉冲平顶激光束对半导体材料进行局部退火的技术，可以实现晶圆衬底与金属电极之间的合金化或实现精确退火。这种局部化和深度可控的退火方式，不仅能有效避免对衬底材料的过度损伤，还能确保金属与半导体之间的高效结合，从而形成低电阻、高稳定性的欧姆接触，让生产出来的器件性能更好。“经过迭代升级后的激光退火设备，精确度提升了10倍，良率更高，帮助企业降低生产成本。”
　　此外，新产品也对一个重要零部件——“寻边器”进行了升级，寻边精度和速度已经和国际头部品牌接近，目前作为独立部件已经接到国内头部客户DEMO订单。
　　通过激光自动对焦技术+高速光闸装置，升级后的设备解决了因晶圆厚度不同导致激光不能聚焦的问题，提高了晶圆退火位置精度。新增的双退火模式，开发了路径优化算法，实现了局部和全局退火，解决了单一退火模式无法满足不同工艺下的定制退火问题。
　　该设备的成功研制，不仅满足了市场需求，也推动了半导体制造技术的进步。“从去年开始，我们就开始计划对产品进行升级，目前也收到了市场上很多的好评，正在为头部的几家半导体企业做测试。”王涛透露，目前，企业的研发团队正在布局SiC激光退火设备的第3代产品，成功后，将大幅提升生产效率。“从取片到晶圆完成激光退火，现在这代产品一个小时内对晶圆的吞吐量是6片，下一代研发成功后，对晶圆的吞吐量将实现一小时12片。”